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THE LAMELLA SILICON SOLAR CELL
(Cellule solaire au silicium de Lamelle) L’objectif principal est le raccourcissement de la distance entre le lieu de génération de la porteuse et l’émetteur, ce qui permet d’améliorer la collecte des porteuses. Par conséquent, des fentes profondes sont mécaniquement introduites dans la face avant de la plaquette. Bayer RGS (croissance du ruban sur substrat) bénéficie particulièrement de ce concept de cellules. Des cellules LAMELLA monocristallines et multicristallines ont également été traitées et l’impact de différentes largeurs de lamelles a été étudié. Des rendements allant jusqu’à 15,9% (silicium monocristallin, avec un seul ARC) pourraient être atteints. Deux types de cellules LAMELLA ont été étudiés. Ils diffèrent par la structure de la tranche et le concept de métallisation appliqué. Figure 1: L’image au microscope électronique à balayage (MEB) montre les doigts d’une grille de cellules LAMELLA reposant sur des plateaux (structure I). Le jeu de barres des cellules interconnectées est visible à l’avant. Dans un cas, les doigts de la grille reposent sur des plateaux (structure I). Cela signifie que la structure doit avoir des lamelles plus larges pour les plateaux de doigts et des lamelles plus étroites pour l’amélioration de la collecte des porteurs et la réduction de la réflectance (Figure1). Figure 2: L’image MEB montre une cellule LAMELLA avec les doigts de la grille situés sur un côté particulier de chaque extrémité de la lamelle marquée par des flèches (structure II). Dans l’autre cas, les doigts de la grille sont formés le long d’un côté particulier des pointes des lamelles tranchantes (structure II). L’espacement 5 des doigts peut être modifié en ayant des lamelles plus hautes et plus basses puisque seules les plus hautes seront métallisées lors d’une étape de traitement ultérieure (Figure 2).
VERTICAL JUNCTION CELL
(Cellules à jonction verticale) Dans cet article, différents concepts de base sur lesquels reposent les nouveaux types de photopiles à multi jonction verticale : les photopiles à jonction verticale connectées en parallèle et les photopiles à multi jonction verticale, éclairées par leur face avant et branchées en série : figure 3 et 4. Elles présentent des structures qui permettent de collecter le maximum de porteurs. La collecte peut être faite sur toutes les sections transversales même avec de petites longueurs de diffusion des porteurs. Leur connexion en série devrait présenter des difficultés lorsque le matériau de base est soumis à un éclairement non uniforme. Cependant, elles peuvent être surmontées grâce à une connexion en parallèle des cellules. La jonction verticale dans ces types de photopiles, est obtenue par gravure sur la surface du substrat qui constitue la cellule, comme nous l’indique les figures 3 et 4 suivantes : 6 Figure 3 : Cellules solaires à multi jonctions verticales connectées en série Figure 4 : Cellules solaires à multi jonctions verticales obtenues par gravures connectées en parallèle Les points de contact sur la surface de la photopile jouent un rôle important pour le bon fonctionnement des photopiles de concentration au silicium. Ils 7 sont directement liés au contact arrière qui sont souvent en IBC (Interdigitated Back Contact c’est-à-dire contact arrière interdigité). Cependant nous pouvons noter quelques différences non négligeables entre ces points de contact et de IBC pour la face arrière. La principale différence entre les photopiles munies de points de contact et de IBC se trouve au niveau des zones de diffusion qui sont restreintes possédant ainsi de petites poches plutôt que de longs doigts. Ces petites poches sont arrangées sur la face arrière de la cellule sous forme de damier <> c’est-àdire les zones de type -n et de type -p ont des couleurs différentes d’où la structure en damier. L’autre différence est que, les zones de diffusion au niveau des contacts métalliques sont plus petites et sont limitées par de petits secteurs. Il faut noter que les vitesses de recombinaison sur toute la surface de la face avant de la photopile sont faibles. Ainsi pour collecter le maximum de porteurs, il suffit de maintenir leur épaisseur aussi faible que possible. Une telle approche a permis d’obtenir vers les années 1986 des rendements de 27,5%.
Structure schématique d’une cellule solaire multi jonction série verticale.
La figure 1 montre une cellule solaire multi jonction parallèle; dans ce type de cellule, toutes les régions de base sont connectées les unes aux autres, ainsi que l’émetteur. Avec une série verticale multi jonction figure 2, la base était reliée à deux émetteurs et ce modèle était séparé les uns des autres par un contact métallique. Hypothèse : Ces modèles ont été traités en utilisant les hypothèses suivantes [12-13] : 26ème conférence et exposition européenne sur l’énergie solaire photovoltaïque 250 L’éclairage est uniforme. Nous avons ensuite un taux de génération dépendant uniquement de la profondeur dans la base. La face frontale recevant le rayonnement est recouverte d’un revêtement antireflets. La contribution de l’émetteur et de la région de charge d’espace étant négligée, cette analyse n’est développée que dans la région de base. Nous pouvons ensuite utiliser les coordonnées cartésiennes.
MEASUREMENT OF THE MINORITY CARRIER MOBILITY IN THE BASE OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS USING A MAGNETOTRANSPORT METHOD
Dans cet article, une méthode de détermination du coefficient de diffusion et de la mobilité des porteurs minoritaires de charges photo créées dans la base d’une photopile n-p-n (InP/GaInAs HBT) sous l’influence d’un champ Mémoire master II présenté par BAYE SERIGNE SALL FST-UCAD 11 magnétique constant est établie par les auteurs. Ils utilisent la méthode dite <> pour déterminer la mobilité des porteurs dans la base en mesurant le courant qui est une fonction de l’intensité du champ magnétique appliqué perpendiculairement à sa direction comme l’illustre la figure ci -dessous : Figure7: Diagramme schématique de l’expérience Le champ magnétique B est perpendiculaire à la direction du courant et la variation de courant dans la base est mesurée en fonction de l’intensité du champ magnétique.
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