PHOTOPILE A JONCTION VERTICALE SERIE SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE EFFET DU TAUX DE DOPAGE

CELLULE A JONCTION VERTICALE MULTIPLE

Cellules à jonction verticale connectées en série [2] Les cellules à jonction verticale ouvrent de nouvelles possibilités d’amélioration du rendement des cellules solaires au silicium avec de courtes longueurs de diffusion. La structure de base des cellules à jonction verticale est donnée à la figure 1, où les cellules sont connectées en série : Figure I-1 : jonction verticale connectées en série .Cette structure présente un avantage lié à la présence de grille de collecte des porteurs de charge même si la longueur de diffusion est faible. La cellule présente ainsi une large surface de diffusion interne [3].

Cellules à jonction verticale connectées en parallèle

Ces structures (figure 2) présentent comme avantage le fait qu’on peut doper fortement leurs émetteurs et leur base afin de pouvoir augmenter leur rendement et sans entrainer une certaine réduction des porteurs nouvellement générée . Pour une modélisation simple des paramètres de la photopile, les auteurs émettent les hypothèses suivantes :  Pas de recombinaisons à la face avant et en face arrière.  Pas de réflexion sur les surfaces.  Les recombinaisons à la zone de charge d’espace sont négligeables.  Le taux de génération est fonction de la profondeur z, une diffusion unidirectionnelle des porteurs minoritaires en excès est considérée.

Cela leur permet de faire une modélisation simple des paramètres de la photopile Figure I- 1 : jonction verticale connectées en parallèle   Influence du dopage sur la zone de charge d’espace [4]. Dans cet article l’auteur fait une étude sur l’influence du taux de dopage sur l’élargissement de la zone de charge d’espace. Une photopile monofaciale au silicium monocristallins de type n + -p-p+ sous éclairement multi spectral constant et en régime statique est étudiée. La densité de porteurs minoritaires de charge en excès dans la base est déterminée en résolvant l’équation de continuité. Les profils de la densité de porteurs minoritaires de charge en excès dans la base en fonction de la profondeur dans la base et du taux de dopage sont présentés.

L’influence du taux de dopage sur la phototension et sur la largeur de la zone de déplétion est présentée ainsi que la phototension en fonction de la largeur de la zone de déplétion .Il est montré que la largeur de la zone de déplétion diminue en fonction du taux de dopage.  Effect of doping density and injection level [5]. Dans cet article, les auteurs ont fait une étude de l’influence du dopage et du taux de dopage sur le modèle électrique et les paramètres électriques (Jph, Vph, Rs, Rsh, C) d’une photopile au silicium convenablement éclairée. L’influence du taux de dopage sur la durée de vie des porteurs minoritaires est présentée.  Base doping and Recombination Activity of impurities in crystalline silicon solar cells Dans cet article, les auteurs ont mis en évidence l’effet du dopage sur la recombinaison au sein de la base d’une photopile au silicium.