Measurement minority carrier mobility heterojunction bipolar transistor using a magnetotranspor method

La mobilité des porteurs minoritaires dans la base d’un transistor bipolaire à hétérojonction (HBT)

InP/GaInAs est obtenue par la mesure du c ourant de la base induit par un champ magnétique appliqué perpendiculairement à la circulation du courant. La mobilité ainsi obtenue est en accord avec celle trouvée p ar la méthode de <> (ZTOF) Le temps de transit dans la base de transistor bipolaires à hétérojonction est essentiellement déterminé par la mobilité des porteurs minoritaires dans la base. Par sa mesure, on détermine la mobilité des porteurs minoritaires. Dans cet article, il est démontré que la mobilité des électrons la base du NPN InP/GaInAs peut être obtenue par la mesure du courant de la base comme fonction de l’intensité d’ un champ magnétique appliqué perpendiculaire à la circulation du courant. 

En utilisant la théorie standard de magnétotransport pour décrire le transport dans la base du NPN HBT

on a : En e eμBe J e μn e eD e J  +−∇= (I.1) Ep h eμBh J h μp h eD h J  +−∇−= (I.2) Je, Jh, De, Dh, μe, μh sont les densités de courant, les constantes de diffusion et les mobilités des électrons et des trous respectivement n est la concentration des électrons porteurs minoritaires et p la concentration des trous porteurs majoritaires. B  Est le champ magnétique appliqué et E le champ électrique. Plusieurs simplifications peuvent être faites du fait de la géométrie du matériau. Les dimensions de la base le long des axes y et z sont grandes devant l’épaisseur de la base et on peut par conséquent poser : = ,0 ∂ ∂ y n = ,0 ∂ ∂ x n = 0, ∂ ∂ y p = 0. ∂ ∂ x p En outre à cause de l’injection élevée dans l’émetteur du HBT, le courant des porteurs majoritaires est essentiellement dû à la recombinaison des électrons injectés et ils circulent du contact à la direction y. Ainsi il n’y a pas de courant des trous dans la direction x de sorte que  En supposant la charge neutre c’est-à-dire l’excès de la concentration des trous égal à l’excès de la concentration des électrons, (I.1) permet d’obtenir : 

Method for measurement of all recombination parameters in the base region of solar cells

L’étude montre l’influence du champ magnétique sur une photopile bifaciale éclairée par la face arrière. Elle montre que sous l’influence d’un champ magnétique parallèle à la surface de la jonction p-n le photocourant décroît. Dans cet article une méthode précise de détermination de tous les paramètres d e recombinaison (longueur de diffusion, vitesse de recombinaison à l a surface arrière de la base) y compris les paramètres de transport (coefficient de diffusion Dn et la mobilité des porteurs) est proposée. La méthode est basée sur la mesure du photocourant de court-circuit d’une photopile bifaciale sous l’influence d’un champ magnétique.