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INFLUENCE DE LA TEMPERATURE SUR LES PARAMETRES ELECTRIQUES
Capacitance voltage characterisation of poly si-sio2-si structures
Dans cet article, les auteurs ont étudiés la caractéristique C-V en haute fréquence des condensateurs poly Si-SiO2-Si. Une extension des caractéristiques C-V haute fréquence connus des condensateurs MIS (Métal-Isolant-Semiconducteur) aux structures S p IS a été faite. Ces auteurs ont démontré que la caractéristique C-V du condensateur poly SiO2-Si est nettement différente de celle du métal SiO2-Si à cause de la pénétration du champ dans la couche de Si poly. Ils ont considéré une structure poly Si-SiO2-Si (Sp IS), de substrat et poly Si tous deux de dopage p. D’après les remarques de neutralité, ils ont déduit qu’au cas où la charge induite par unité de surface à l’interface SiO2-Si Qs, est négative, alors Q P S, est positive et vice versa. De sorte que l’équation (I1) demeure; p Q Q s s (I1) Par conséquent, quand la surface de poly Si est accumulée, la région de charge d’espace en Si est dépossédée et vice versa. Ils ont aussi montré qu’en l’absence de toute différence de fonction de travail, la tension appliquée Vi apparaît en partie à travers l’isolant, en partie à travers le Si. s et en partie à travers le poly Si, s p . Ainsi p V V i s s (I2) Ils ont montré dans la même lancée que la capacité total CT de la structure Sp IS peut être calculée à partir de la combinaison série de la capacité de charge d’espace CD du Si [2], la capacité de charge d’espace CD p du poly Si (supposé avoir la même dépendance fonctionnelle CD) et la capacité de l’isolant Ci.
Graphic method of substrate doping determination from c-v characteristics of mis capacitors
Dans ce présent article, les auteurs ont développé une méthode graphique simple qui détermine le potentiel (substrat de dopage) de Fermi de la haute fréquence C-V caractéristique du condensateur MIS. Cette méthode est d’application générale et peut être utilisé pour l’étude d’un système diélectrique à semi-conducteur à différentes températures ambiantes. Ces auteurs ont développé une nouvelle méthode graphique de détermination de NB basée sur les valeurs obtenues expérimentalement de Cmin et Cmax. Ils ont démontré qu’il ya la possibilité de développer un seul graphe d’une manière telle que NB peut être déterminée pour pratiquement tout système isolant-semiconducteur dans la structure MIS. En outre, le procédé est valable pour une large gamme de températures ambiantes. Ils ont établi une relation regroupant ; Cmin la capacité à haute fréquence en forte inversion, Cmax la capacité à forte accumulation, Ci la capacité de l’isolant, Xdmax la largeur de la région d’appauvrissement de surface à la forte inversion, Xi l’épaisseur de l’isolant et i la constante de l’isolant diélectrique. Cette relation est donnée par l’équation I
Forward-voltage capacitance of hererojunction space-charge regions
Un traitement analytique présenté pour la modélisation de la capacité de la zone de charges d’espace d’hétérojonction sous des tensions à terme a été présenté par les auteurs de cet article. Cherchant à améliorer le modèle d’appauvrissement, ils se sont concentrés sur les effets capacitifs de la région de charge d’espace. Ils ont présenté un modèle de capacité analytique pour hétérojonctions brusques sous tensions à terme. Ils ont examiné le modèle d’épuisement classique en premier lieu. L’insuffisance de l’utilisation d’un tel modèle à des tensions à terme a été soulevé. Avant le développement d’un modèle de capacité, les auteurs ont orienté ce travail sur l’étude des propriétés physiques de la zone de charge d’espace. Dans cette même continuité de revoir le modèle d’épuisement, et de développer un plus précis, mais encore compact ; modèle pour l’épaisseur et la barrière de potentiel de la zone de charges d’espace de l’hétérojonction. Cependant les auteurs ont montré que le modèle rencontre des difficultés à de très grandes tensions directes, et un traitement qualitatif y est employé. Ils ont montré que la comparaison du modèle de capacité présente des dépendances mesurées et ont inclu des modèles de capacité existant. Les autres ont défini les expressions de la capacité de la zone de charge d’espace pour : une homojonction et une hétérojonction. (i) L’expression de la capacité C de la zone de charge d’espace pour une homojonction est exprimée par l’équation I14 [6-7] Using Gauss’s law in determinating the width emitter extension region of the solar cell operating in Open Circuit Condition [9] Dans cet article, les auteurs ont utilisé la loi de Gauss pour déterminer la largeur d’extension de la zone de charge d’espace de l’émetteur de la photopile en circuit ouvert. Ils ont appliqué cette loi gaussienne au niveau de la jonction émetteur-base de la photopile qui est considérée comme un condensateur plan avec deux armatures planes identiques. Les auteurs ont calculé la largeur d’extension de la zone de charge d’espace de l’émetteur (ZE) lorsque la photopile est en état d’équilibre et en fonctionnement de circuit ouvert. Ce calcule a été fait en tenant compte de la largeur d’extension de la zone de charge d’espace de la base (ZB). Les auteurs ont aussi étudié les effets : de la taille des grains (g), de la vitesse de recombinaison au joint de grain (Sgb) et de la densité de dopage sur ZE. Ils ont schématisé deux photopiles fonctionnant en circuit ouvert : l’une idéale (figure I1) et l’autre non idéale (figure I2)
A 3D model for thickness and diffusion capacitance of emitter-base junction determination in a bifacial polycrystalline solar cell under real operating condition [11] Les auteurs ont présenté dans cet article le comportement de la zone de charge d’espace d’une photopile de type n + -p-p + d’une photopile bifaciale sous illumination monochromatique. Dans cette étude à 3 D, les auteurs à l’aide des relations mathématiques ont permis la description et l’utilisation de la nouvelle approche qui associe à la fois la jonction et à l’arrière des vitesses de recombinaison de surface. Pour les différentes modes de fonctionnement de la photopile et pour divers paramètres comme ; la taille des grains g, la vitesse de recombinaison aux joints de grains Sgb, la longueur d’onde λ, les auteurs ont étudié la largeur de la zone de charges d’espace (Z0,u). Cette étude est faite sur la base de la densité relative des porteurs minoritaires en fonction de la profondeur dans la base.
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