La miniaturisation des composants

Jonctions ultra-minces p+/n pour MOS ”ultimes étude de l’impact des défauts sur la mobilité et l’activation du bore La miniaturisation des composants En 1969 était conçu le premier microprocesseur, « l’INTEL 4004 » par Marcian Hoff et Federico Faggin. Quatre...

Matériaux Piézoélectrique

Matériaux Piézoélectrique Historique En 1655, et avant la découverte du phénomène piézoélectrique, le premier composé ferroélectrique a été fabriqué par Elie Seignette dans une pharmacie : le sel de Rochelle (KNaC4H4O6 .4H2O) [1]. En 1756 le médecin physicien Aepinus (inventeur...

Application de l’antenne fil plaque agile ultra miniature

Techniques de miniaturisation Dans ce paragraphe, nous exposons diverses techniques de miniaturisation d’antennes. Il existe plusieurs concepts de miniaturisation qui ont pour but d’allonger artificiellement les dimensions du dispositif résonant. Parmi ces techniques, on trouve l’allongement électrique du chemin du...

Modélisation d’inductances spirales intégrées en CMOS

Les Composants Passifs Intégrés dans les Applications Radiofréquences Introduction Ce chapitre a pour objectif d’introduire les paramètres caractéristiques des composants passifs intégrés et d’identifier l’influence que ces mêmes paramètres peut avoir sur les performances globales d’un système de réception radio....

Les capteurs autonomes dans le contexte aéronautique

Capteurs sans fil autonomes dans l’aéronautique L’ industrie aéronautique compte parmi les principaux demandeurs de capteurs sans fil. Il s’agit en effet d’un important moteur de l’activité économique et ses acteurs, bien qu’assez peu nombreux, se livrent à une forte...

Conception « amont » d’un microsystème multiplicateurs

Les tendances vers la miniaturisation et l’autonomie C’est au début des années 1990 que sont posées les bases de la problématique du regroupement de plusieurs microcapteurs sur une même puce par K.D. Wise [WN91]. L’étude porte d’abord sur la compatibilité...

Analyse des mécanismes physiques spécifiques aux transistors multigrilles: aspects dimensionnels et capacitifs, modélisation des effets de couplage

Régime de saturation Quand la tension drain/source augmente, le potentiel le long du canal augmente et réduit l'épaisseur de la couche d'inversion. Pour une tension de polarisation VD= VDSAT, la capacité MOS n'est plus en inversion coté drain. On dit alors...

Systèmes d’acquisitions et sources de bruits

Systèmes d’acquisitions et sources de bruits  Systèmes d’acquisitions de données 3D Pour acquérir des données et cartographier notre environnement, plusieurs types de systèmes différents existent. Lorsque l’on parle de système, on englobe l’ensemble des capteurs qui interviennent dans la chaîne...

Grilles en silicium polycristallin déposé amorphe à basse température et dopé bore in situ

Evolution de la microélectronique Depuis la réalisation du premier transistor par William Shockley, Walter Brattain et John Bardeen en 1948, la microélectronique a parcouru un chemin incroyable. D’une taille des dispositifs de l’ordre du centimètre dans les années 50, nous sommes...

Conception d’antennes souples et de conducteurs magnétiques artificiels en bande UHF

Généralités sur les antennes UHF large bande Notion d’antenne indépendante en fréquence : La conception d’antenne large bande fait souvent appelle à des antennes indépendantes en fréquence. Cette notion d’antenne indépendante en fréquence est énoncée dans le courant des années...