NISSR
STRUCTURE DES CELLULES SOLAIRES
Une cellule solaire conventionnelle est généralement représentée par trois régions : La première, que l’on nomme émetteur est de faible épaisseur, et très dopée (1017 à1019 atomes cm-3). Sur cette dernière est dopée une grille électrique métallique en forme de peigne pour collecter les porteurs de charge photo générés ;
La deuxième, d’épaisseur importante (150 à 400µm) appelée base relativement dopée (1015 à 1017 atomes cm-3) ;
La troisième est la zone de charge d’espace (jonction émetteur – base) ou règne un champ électrique intense qui entraîne les porteurs à travers la jonction .En fin un contact électrique quasi ohmique pour certains à l’arrière de la base
DESCRIPTION DE LA PHOTOPILE
D’une manière générale une photopile est un dispositif présentant trois parties essentielles dont l’émetteur (zone dopée n) de très faibles épaisseur, la base (zone dopée p) beaucoup plus épaisse que l’émetteur et la zone de charge d’espace ; jonction entre la base et l’émetteur Celle étudié ici est de type n – p
STRUCTURE DES CELLULES SOLAIRES
Une cellule solaire conventionnelle est généralement représentée par trois régions : La première, que l’on nomme émetteur est de faible épaisseur, et très dopée (1017 à1019 atomes cm-3). Sur cette dernière est dopée une grille électrique métallique en forme de peigne pour collecter les porteurs de charge photo générés ;
La deuxième, d’épaisseur importante (150 à 400µm) appelée base relativement dopée (1015 à 1017 atomes cm-3) ;
La troisième est la zone de charge d’espace (jonction émetteur – base) ou règne un champ électrique intense qui entraîne les porteurs à travers la jonction .En fin un contact électrique quasi ohmique pour certains à l’arrière de la base
DESCRIPTION DE LA PHOTOPILE
D’une manière générale une photopile est un dispositif présentant trois parties essentielles dont l’émetteur (zone dopée n) de très faibles épaisseur, la base (zone dopée p) beaucoup plus épaisse que l’émetteur et la zone de charge d’espace ; jonction entre la base et l’émetteur Celle étudié ici est de type n – p
DETERMINATION DE LA DENTE DE COURANT
L’expression de la densité de la photo courante générée par les porteurs est donnée par la relation suivante dans la surface(x, o, z):
Figure II-3 :Densité de courant en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour differentes tailles de grain le restant des parametres etant fixé .
Les courbes montrent que plus la taille du grain augmente plus la densité de courant augmente,ceci est du au faible recombinaison des porteurs minoritaires de charge à l’intérieur du grain
La figure montre que quand la vitesse de recombinaison tend vers zéro,le photocourant fait de même ce qui correspond au fonctionnement d’un circuit ouvert. Nous remarquons pour de grandes vitesse aux joints de grain les courbes présentent un gradient qui tend vers zéro.
La conaissance de la densité des porteurs nous permet de déterminer la tension par la relation de Boltzman
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