: Etude à 3dimensions d’une photopile au silicium à jonction verticale en régime dynamique fréquentiel sous éclairement multispectral

3D modelling of a reverse cell made with improved multicrystalline silicon wafer 

Dans cet article les auteurs ont travaillé sur une photopile Multi cristalline éclairée par la base en lumière Monochromatique.
L’utilisation d’un modèle colonnaire où le grain
Aura la forme d’un parallélépipède (figure I-6) leur A permis de modéliser les joints de grain plus Simplement. En pus du modèle quelques
Hypothèses ont été faites : Figure I-1
– Les joints de gains sont perpendiculaires à la jonction.
– Les vitesses de recombinaisons aux joints de grain sont négligeables
Dans l’émetteur qui est sur dopé et au niveau de la zone de charge d’espace
– La résistance série est prise en compte et les résistances de contact négligées.
– La surface qui reçoit le rayonnement est recouverte d’une couche Anti-reflet, les réflexions au niveau de la face avant et de la face Arrière ne sont pas prises en compte.
Hypothèses ont été faites : Figure I-1
– Les joints de gains sont perpendiculaires à la jonction.
– Les vitesses de recombinaisons aux joints de grain sont négligeables
Dans l’émetteur qui est sur dopé et au niveau de la zone de charge d’espace
– La résistance série est prise en compte et les résistances de contact négligées.
– La surface qui reçoit le rayonnement est recouverte d’une couche Anti-reflet, les réflexions au niveau de la face avant et de la face Arrière ne sont pas prises en compte.

CONCLUSION

L’étude qui a été menée au cours de ce chapitre a permis de rendre compte de l’origine des joints de grain dans le silicium polycristallin. Ces joints de grain sont en fait des défauts physiques du matériau ayant des activités recombinantes qui diminuent le nombre de porteurs photocrées.
Les analyses par simulation à 3D de l’influence des joints de grain sur les paramètres électriques de la photopile faisaient intervenir un modèle colonnaire où le grain pouvait être parallépipèdique où cylindrique. Les conditions aux limites utilisées dans la plus part de ces études ne prennent pas en compte la vitesse de recombinaison à la jonction et supposent des cas limites (condition de court-circuit par exemple).
La détermination des vitesses de recombinaisons selon les différents modes d’éclairement a été faite Dans notre étude nous étudierons l’effet de la vitesse aux joints de grain et de la taille des grains sur la densité de courant et de la phototension en modulation de fréquence.

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