OMM01
Evaluation of the diffusion length of minority carriers in bulk GaAs
La longueur de diffusion des porteurs minoritaires a été mis en évidence en LEC GaAs utilisé comme dopant dans le silicium avec une densité de dopeur N D − NA compris entre 16 10 à 18 10 −3 cm par surface de photovoltage (SPV)à partir du rayon produit par les électrons du courant (EBIC) déterminé par des mesures de balayage en microscopie électronique. Les valeurs des longueurs de diffusion obtenues par excitation optique décèlent des différences systématiques qui peuvent être expliqué par la différence de masse des surface de recombinaison des porteurs générés par le niveau d’injection à la surface et dans le volume .Dans tous les échantillons utilisés la variation de la longueur de diffusion radiale a été observé et en plus la valeur de Lp augmente de 0,5 à 7 µm quand la concentration du dopeur augmente. Les auteurs font correspondre cette distribution inhomogène de l’électricité produite par un défaut naturel et l’association des centres de recombinaison. Le rôle de la dislocation induit deux effets compétitives : relever la probabilité de recombinaison et précipiter la concentration.
Non-contact deep level transient spectroscopy (DLTS) based on surface photovoltage
Dans cet article les auteurs mettent en évidence la deep level transient spectroscopie.
Ils stipulent que la DLTS joue un rôle unique sur les défauts de caractérisation grâce à leur très grand niveau de sensibilité et leur habilité à identifier les défauts qui proviennent de l’émission spécifique de la valeur du5 Short-circuit current of polycrystalline silicon solar cells with respect to grain size and grain-boundary recombination velocity [ 4]
Dans cet article des études sur l’influence de la dimension des grains et de la vitesse de recombinaison aux joints de grain sur le courant de court circuit de la photopile solaire au silicium poly cristallin ont été investies théoriquement.par leur auteurs.
L’irrégularité entre la théorie et l’expérience sur la variation du courant de court circuit avec la taille de grain leur permet de déterminer la vitesse de recombinaison aux joints de grain.
Et ils montrent d’après des investigations d’ordre théorique l’influence des paramètres dc et SaB (respectivement la taille de grain et la vitesse de recombinaison aux joints de grain) sur la performance des cellules photovoltaïques des diodes Schottley au silicium poly cristallin et de la densité de photo courant de court circuit JSC.
Sur la base d’efforts de résultats théoriques liés à des observations expérimentales sur la variation de JSC en fonction de dC et il, est possible de déterminer la vitesse de recombinaison aux joints de grains. taux des porteurs piégés sur les niveaux profond correspondants.
The effective lifetime in semi crystalline silicon [5]
Dans cet article l’auteur met en évidence l’effet de la vitesse de recombinaison aux joints de grains des porteurs minoritairesde charge à la surface qui est donnée à une dimension par la relation⋅
Un savant du nom de Shotckley a calculé le rapport de proportionnalité entre la vitesse de recombinaison des porteurs de charge minoritaires sur un filament mince et montre que la condition nécessaire est que D S W⋅ 2 soit petit avec S la vitesse de recombinaison aux joints de grains ,W la largeur des grains, D la longueur de diffusion. La surface est ignorée et la recombinaison approximative dans le filament peut être décrite par une constante unique eff τ qui est la durée de vie donnée par. Où τb représente la durée de vie globale τs est fonction de s et des dimensions du filament Shockley note aussi que l’utilisation d’un temps de vie effectif est valable uniquement dans des cas spéciaux. Autrement plusieurs valeurs du temps de vie doivent être prises en compte.
Certaines recherches ont utilisé le concept de temps de vie effectif pour des applications des photopiles solaires.
Les auteurs proposent dans cet article pour quelles étendues le concept de durée de vie peut être utilisé pour calculer les propriétés photovoltaïques des semi conducteurs. Dans cet article la détermination de Jo densité de courant de saturation et la densité de courant de court circuit sont pris en compte. Ils ont également mis en évidence l’effet de la variation de l’éclairement avec Seff pour différents types de grains et ceci aussi avec la concentration des porteurs minoritaires aux joints grains
Conclusion
Ces études ont permis de mettre en évidence l’importance des paramètres de recombinaison qui sont les propriétés extrinsèques de la photopile solaire. Ils ont également permis de savoir la relation qui existe entre ces différents paramètres et leur effet sur la densité de photo courant générée. Mais la plupart de ces études ont été effectuées à une dimension sur des photopiles dont l’éclairement se faisait perpendiculairement à la jonction.
Présentation d’un grain de photopile bifaciale à jonction verticale
La photopile à jonction verticale telle qu’elle est décrite sur la figure 1 est une nouvelle génération de photopile composée d’une base très dopée et de dimensions plus importantes, d’un émetteur faiblement dopé de dimensions plus petites reliés par une zone appelée zone de charge d’espace (ZCE) ou règne un champ intense [ 6]. Ici dans ce cas l’éclairement est multi spectral pulsé c’est-àdire qu’on excite électriquement ou optiquement avec la lumière solaire jusqu’à ce qu’un régime permanant soit atteint. Ensuite le signal excitatrice est coupé et on étudie l’évolution au cours du temps du profil de la densité de porteurs minoritaires. L’étude se fera à trois dimensions
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