Conception et réalisation de références de tensions alternatives à base de MEMS

Conception et réalisation de références de tensions
alternatives à base de MEMS

Référence de tension en courant alternatif

Effet Josephson 

Les réseaux de jonctions Josephson 1 V et 10 V permettent de raccorder les étalons secondaires au niveau de quelques nanovolts. Cependant, le problème lié à l’instabilité des marches et à leur sélection peu rapide, empêche toute autre application métrologique. Il est aussi impossible de générer avec ces réseaux des tensions en courant alternatif ayant des formes d’onde arbitraires à des fréquences audio. Pour résoudre ces problèmes et étendre les applications de l’effet Josephson à la métrologie du volt en basse fréquence (<1MHz), des équipes de recherche développent des réseaux binaires de jonctions Josephson comme pour un convertisseur numérique-analogique (Fig.8) . Figure 8 : Architecture d’un réseau binaire de jonctions Josephson Le réseau binaire de jonctions Josephson est subdivisé en segments binaires de 1, 2, 4, …, 2N jonctions, qui sont individuellement polarisables. La tension alternative de fréquence f (qq GHz) est appliquée à la jonction par irradiation, ainsi le courant de paires de Cooper se synchronise avec cette fréquence et une tension apparaît aux bornes de la jonction. Cette tension s’écrit : Chapitre I : Références de tension et Microsystèmes – 24 – ( ) (4) Pour chaque fréquence f correspondra une tension de marche V bien définie. La caractéristique des jonctions présente maintenant des marches qui coupent l’axe des tensions pour différentes fréquences du courant. Chacun des segments irradié à la fréquence f peut être polarisé sur les marches de Shapiro d’indice n = 0 et ±1 en appliquant un courant de polarisation I = 0 et ± Ip (Fig.9) [22]. Figure 9 : Caractéristique I-V d’un réseau Josephson La tension de sortie du réseau représente la somme des tensions développées par chaque segment et atteint au maximum la valeur où N est le nombre total de jonctions dans le réseau et KJ-90 la constante Josephson. La figure 10 montre une tension de sortie sinusoïdale d’amplitude 1,25 V et de fréquence 100 Hz obtenue à partir d’un réseau binaire 1 V [23]. Jusqu’à maintenant, des tensions alternatives d’amplitude de l’ordre de 1 V, entre 20 Hz et 1 kHz, ont été générées avec des incertitudes de l’ordre du ppm. Figure 10 : Tension de sortie obtenue à partir d’un réseau programmable de 1V .

Transfert thermique 

Actuellement, la transposition thermique est le moyen le plus précis permettant de raccorder les valeurs efficaces des tensions et des courants alternatifs aux grandeurs continues correspondantes. Cette méthode utilise des convertisseurs thermiques comme étalons de valeur efficace. Ils sont composés d’une résistance chauffante sur laquelle sont fixés un ou plusieurs thermocouples destinés à mesurer l’échauffement de cette résistance. Le principe de la mesure présenté sur la figure 11 consiste dans un premier temps, à appliquer un signal alternatif à l’entrée du convertisseur et de mesurer à l’aide d’un voltmètre la tension DC générée par le thermocouple. Puis dans un second temps, on utilise un signal DC étalon qui sera ajusté de façon à reproduire la même tension à la sortie du thermocouple. La valeur efficace du signal alternatif est alors égale à la valeur de la tension continue, à l’erreur près du convertisseur [26]. Il existe trois types de convertisseurs thermiques : les convertisseurs thermiques mono-jonctions, les convertisseurs thermiques multi-jonctions et les convertisseurs thermiques multi-jonctions à couches minces. Leur fabrication repose sur les techniques de photolithographie. Ils sont composés d’une structure résistive chauffante et de plusieurs centaines de thermocouples déposés sur une fine membrane diélectrique. Figure 11 : Principe de la transposition thermique Ces étalons de valeur efficace présentent de faibles impédances avec un long temps d’intégration et fonctionnent jusqu’à quelques MHz. Les meilleures incertitudes données par des convertisseurs multi-jonctions planaires sont de l’ordre 10-7 à 1 kHz. Ces incertitudes sont dégradées en basse fréquence et au-delà de 100 kHz . En basse fréquence, la transposition thermique peut être remplacée par méthodes d’échantillonnage pour améliorer le Signal AC Signal DC étalon Convertisseur Thermique V Switch AC/DC  raccordement des tensions alternatives. Les incertitudes peuvent être dans ce cas de l’ordre de 2 µV/V entre 20 Hz et 400 Hz . 

Les Systèmes Micro-Electromécaniques (MEMS) 

Introduction 

Les principes et les orientations de ce champ d’activités sont nés aux USA dans les années 80, plus précisément à l’Université de BERKELEY. Il s’agissait de créer, sur silicium, de véritables systèmes très miniaturisés comportant des capteurs, des actionneurs et du traitement du signal, soit par une voie monolithique ou plus généralement par intégration hétérogène. L’idée mise en avant était celle du micro usinage du silicium permettant de créer à côté des fonctions électroniques, des fonctions mécaniques ; c’est ainsi qu’est apparu le concept de MEMS (Micro Electro Mechanical System). Il faut inscrire cette émergence des microsystèmes dans l’histoire de la microélectronique. Il serait vain de vouloir retranscrire cet historique exhaustivement, historique largement développé dans la littérature. On peut cependant poser des marqueurs illustrant cette évolution, soit en termes techniques soit en termes de réalité industrielle [30]. Nous indiquerons par ailleurs certains aspects tant au niveau applicatif que technologique en relation avec notre étude. 

Table des matières

Introduction générale
Chapitre I : Références de tension et Microsystèmes
I. Le Système international d’unités (SI)
I.1. Historique et évolution du SI
I.2. Mesures, grandeurs et unités
I.3. Définition, réalisation et conservation d’une unité
II. Les références de tension électrique
II.1. Références de tension en courant continu
1.1 Effet Josephson
1.2. Diode Zener
1.3. Autres principes
II.2. Référence de tension en courant alternatif
2.1. Effet Josephson
2.2. Transfert thermique
III. Les Systèmes Micro-Electromécaniques (MEMS)
III.1. Introduction
III.2. Techniques de fabrication
III.3. Les MEMS appliqués à la métrologie
IV. Références de Tension à base de MEMS
IV.1. Principe de fonctionnement
1.1. Actionnement par une tension continue
1.2. Actionnement par courant alternatif
IV.2. Stabilité des références de tension MEMS
2.1. Stabilité mécanique
2.2. Paramètres électriques
IV.3. Rappels des objectifs du travail de thèse
Chapitre II : Conception des Microsystèmes
I. Architectures MEMS
I.1. Structures à débattement vertical
I.2. Structures à peignes interdigités
II. Modélisations des MEMS
II.1. Analyse par éléments finis sous CoventorWare
II.2. Simulations sous Architect
III. Procédé de fabrication
III.1. Procédé technologique de fabrication
1.1. Caractéristiques des wafers
1.2. Réalisation des MEMS
1.3. Réalisation du capot en silicium
1.4. Assemblage des deux wafers
III.2. Echantillons réalisés
2.1. Structures à débattement vertical
2.2. Structures à peignes interdigités
III.3. Montage des puces
IV. Electronique de commande
IV.1. Electronique de commande simple
1.1. La source de courant
1.2. Contre-réaction sur un amplificateur imparfait
1.3. Réalisation pratique
IV.2. Electronique à modulation d’amplitude (AM)
2.1. Principe
2.2. Réalisation de l’électronique à modulation d’amplitude
V. Montages expérimentaux
V.1. Mesure en tension continue (C-V)
V.2. Mesure en courant alternatif (U-I)
Chapitre III : Etude et caractérisation des MEMS à débattement vertical
I. Etude des structures MEMS de test
I.1. Design des structures
I.2. Calculs et modélisations
I.3. Validation numérique
I.4. Résultats expérimentaux
I.5. Synthèse et recommandations
II. MEMS fonctionnels
II.1 Design des MEMS fonctionnels
II.2 Calculs et modélisations
II.3 Résultats expérimentaux
3.1. Caractéristiques électriques
3.2. Mesure en régime transitoire (Deep Level Transient Spectroscopy)
3.3. Evaluation de la stabilité de la tension de référence
II.4. Conclusions préliminaires
III. Procédé technologique dédié
III.1. Design des composants
III.2. Procédé technologique de fabrication
3.1. Gravure de l’électrode mobile
3.2. Réalisation de l’électrode supérieure fixe
3.3. Assemblage
Chapitre IV : Etude et caractérisation des MEMS à débattement horizontal
I. Design des structures
I.1. Calcul de la position de pull-in
I.2. Modélisations avec CoventorWare
2.1. Modélisations par éléments finis sous Analyser
2.2. Modélisations avec le module Architect
II. Résultats expérimentaux
II.1. Mesures en tension continue
II.2. Mesures en courant alternatif
II.3. Mesure en régime transitoire
II.4. Mesures de caractérisation de la tension de référence Vpi 
4.1. Etude de la stabilité de Vpi
4.2. Etude de la tension de Vpi en fonction de la température et de l’humidité
4.3. Etude de la tension de Vpi en fonction de la fréquence
III. Nouvelle approche
III.1. Principe
III.2. Réalisations pratiques
2.1. Design réalisé
2.2. Modélisation de la structure
Conclusion générale
Bibliographie
Production scientifique.

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